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　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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